полупроводниковый

<< | 1 | >>

Полупроводниковый диод

Category: Education
Length: 00:04:07.500
Tags: .

Полупроводниковый материал gaas

Арсенид галлия - химическое соединение галлия и мышьяка. Важный полупроводник, третий по масштабам использования в промышленности после кремния и германия. Используется для создания сверхвысокочастотных интегральных схем, светодиодов, лазерных диодов, диодов Ганна, туннельных диодов, фотоприёмников и детекторов ядерных излучений.Некоторые электронные свойства GaAs превосходят свойства кремния. Арсенид галлия обладает более высокой подвижностью электронов, которая позволяет приборам работать на частотах до 250 ГГц.Полупроводниковые приборы на основе GaAs генерируют меньше шума, чем кремниевые приборы на той же частоте. Из-за более высокой напряженности электрического поля пробоя в GaAs по сравнению с Si приборы из арсенида галлия могут работать при большей мощности. Эти свойства делают GaAs широко используемым в полупроводниковых лазерах некоторых радарных системахПолупроводниковые приборы на основе арсенида галлия имеют более высокую радиационную стойкость, чем кремниевыечто обусловливает их использование в условиях радиационного излучения (например, в солнечных батареях, работающих в космосе)."GaAs - прямозонный полупроводник, что также является его преимуществом. GaAs может быть использован в приборах оптоэлектроники: светодиодах, полупроводниковых лазерах.Сложные слоистые структуры арсенида галлия в комбинации с арсенидом алюминия или тройными растворами (гетероструктуры) можно вырастить с помощью молекулярно-лучевой эпитаксии или МОС-гидридной эпитаксии. "Из-за ...
Category: Science & Technology
Length: 00:01:32.250
Tags: .

Лекция 14. Полупроводниковый диод

Category: Education
Length: 00:12:09
Tags: .

Полупроводниковый прибор динистор. Простые ...

Динистор или двухэлектродный тиристор содержит четыре полупроводниковые области, которые чередуются типами электрической проводимости: pnpn. Так как между двумя прилегающими друг другу областями с разными типами электропроводимости образуется электронно-дырочный переход, то в динисторе таких переходов три. Рассмотрим простые схемы с использованием динистора. Схема включения динисторов для питания люминесцентной лампы. В момент включения схемы конденсатор заряжается через диод и резистор R1, напряжение на нем близкое к напряжению сети. Когда напряжение на конденсаторе станет равным напряжению включения динистора VD3, он включится, и все напряжение сети будет приложено к динистору VD2, который так же включается. Далее происходит прогрев лампы. Ограничительный резистор не допускает размах тока через VD3 при разряде конденсатора, резистор R2 является разрядным сопротивлением конденсатора. Схема регулятора мощности с применением динистора. Регулятором, указанном на схеме, можно регулировать напряжение от 0 до 100% за вычетом напряжения включения динистора. Здесь тиристор VS1 управляется динистором VD2. При каждой полуволне сетевого напряжения конденсатор заряжается через резистор R1. Как только напряжение на конденсаторе поднимется до напряжения включения динистора, он перейдет в открытое состояние. Тиристор открывается, конденсатор заряжается через динистор и управляющий электрод тиристора. Переменным сопротивлением изменяем время заряда конденсатора, соответственно, и время ...
Category: Science & Technology
Length: 00:01:49.500
Tags: .

Полупроводниковый удвоитель напряжения

Изделия с односторонней проводимостью могут применяться не только для выпрямления сигнала, но и для других целей. Примером подобного применения может служить приведенная здесь схема удвоителя напряжения. За основу возьмем обычную схему двухполупериодного выпрямителя. Заменим выпрямители V3 и V4 на конденсаторы С1 и С2 одинаковой емкости. В течение первого полупериода после включения выпрямитель V1 заряжает конденсатор С1 до максимального значения питающего напряжения. Во вторую половину полупериода происходит зарядка конденсатора С2 через выпрямитель V2. При этом напряжения на конденсаторах С1 и С2 - складываются. Конденсаторы могут разряжаться только на нагрузку R. При выполнении условия, что произведение сопротивления нагрузки на емкость конденсаторов значительно превышает период переменного напряжения, изменения напряжения будут очень невелики. Практически, при времени релаксации схемы около 0.2 секунды и нагрузке порядка 1000 Ом, требуются емкости порядка десятков микроФарад. Применяются схемы удвоения, в частности, в схемах бестрансформаторного питания радиоприемников.
Category: Science & Technology
Length: 00:01:17.250
Tags: усиление напряжение .

Полупроводниковый материал sige

На протяжении нескольких десятилетий кремний и германий были двумя основными конкурирующими материалами полупроводниковых технологий. В последние 20 лет их противостояние, казалось бы, завершилось победой кремния. Однако в 2005 году компания IBM объявила о запуске в серию транзисторов по кремниево-германиевому (SiGe) полупроводниковому процессу, в котором сырьем являлся соединение этих двух полупроводников. Работы по Кремниево-германиевой технологии были начаты компанией IBM в 1989 году и основной задачей было создание приборов для работы на высокой частоте. Кроме того в процессе исследований были открыты особые свойства кремниево-германиевого соединения: высокая надежность и живучесть за счет малой температурной зависимости;• низкая стоимость, сравнимая со стоимостью кремния;• широкий частотный диапазон до 110 ГГц;• низкий уровень шума;• низкое энергопотребление;• возможность комбинации с обычнымиCMOS схемами на одной и той же кремниевой подложке.SiGe-технологии позволяют еще больше миниатюризировать полупроводниковые системы за счет очень высокой интеграционной плотности и создавать однокристальные решения для целой системы. Одним из важнейших направлений, в которых используются эти технологии, является создание быстродействующих систем беспроводной передачи данных. Чипсет mmWave с расчетной рабочей частотой 60ГГц созданный по кремний-германиевой технологии в 2007 году быстрее Wi-Fi в 100 раз.
Category: Science & Technology
Length: 00:01:13.500
Tags: .

Причины деградации полупроводниковых кристаллов

На протяжении долгого времени считалось что срок службы полупроводникового прибора, в особенности- маломощного , практически не ограничен.Действительно- в отличии от лампы в нем не происходят процессы эмиссии и испарения накальных элементов, повреждения газовой среды как в газотронах, обгорания контактов- как в реле. Однако проблемы связанные с выходом из строя полупроводников появились не сейчас, и связаны они далеко не всегда с нарушением режима их эксплуатации.
Category: Science & Technology
Length: 00:01:38.250
Tags: .

полупроводниковый лазер

Category: Pets & Animals
Length: 00:00:08.250
Tags: полупроводниковый .

Магниторезистор

Магниторезистор - это полупроводниковый резистор, в котором используется зависимость электрического сопротивления от магнитного поля. Магниторезистор представляет собой изоляционную подложку, на которую наклеен слой вещества. К полупроводниковой пластине подпаиваются или привариваются токоподводы. Часто для увеличения активного сопротивления и получения небольших габаритов магниторезистора полупроводниковая пластина изготовляется в форме меандра. Принцип действия магниторезисторов основан на использовании магниторезистивного эффекта, приводящего к изменению активного сопротивления резистора при внесении его в магнитное поле или при изменении напряженности этого поля. Следовательно, изменяя напряженность магнитного поля или перемещая в этом поле сам резистор, можно изменять сопротивление резистора. Поскольку холловская напряженностьэлектрического поля, возникающая в полупроводнике с током при наличии магнитного поля, снижает магниторезистивный эффект, то конструкция магниторезистора должна быть такой, чтобы уменьшить или полностью устранить ЭДС Холла. Наилучшей формой магниторезистора является диск Корбино. При отсутствии магнитного поля ток в таком магниторезисторе проходит в радиальном направлении от центра диска ко второму электроду, расположенному по периметру диска, или наоборот. Под действием магнитного поля носители заряда отклоняются в направлении, перпендикулярном радиусу. Так как не существует граней, на которых может происходить накопление зарядов, то ЭДС Холла ...
Category: Science & Technology
Length: 00:02:03
Tags: .

советская реклама 80х

полупроводниковый регулятор тока с сенсорным управлением -- хорошее название, легкозапомиющееся
Category: Comedy
Length: 00:03:27.750
Tags: полупроводниковый .

Ангстрем

23 июня 1963 г. приказом председателя Госкомитета по электронной технике А. И. Шокина в Центре микроэлектроники был образован НИИ-336, позднее Научно-исследовательский институт точной технологии (НИИТТ). Как и весь Центр микроэлектроники НИИТТ предназначен был стать отраслевым инновационным центром. Его основными задачами были создание принципиально новых тогда изделий гибридных интегральных микросхем (ИС), а также разработка и отладка на опытном производстве технологии их производства и передача для массового тиражирования на серийные заводы страны. В соответствии с этими задачами при НИИТТ был образован опытный завод "Ангстрем", работавший первые годы, как и НИИТТ, на временных площадях. В настоящее время ОАО "Ангстрем" стало центральным и ведущим звеном группы предприятий-партнеров (расположенных, в основном, в Зеленограде, но не только), которые фактически представляют собой неформальную научно-промышленную группу. Одно из основных направлений этой группы - создание и организация производства компонентной базы для стратегически важных систем. В настоящее время основными потребителями продукции за рубежом являются заказчики (дилеры) стран Юго-Восточной Азии (Тайвань, Сингапур, Китай, Малайзия), поставляющие продукцию для заводов, производящих электронную аппаратуру бытового применения массового спроса.
Category: Science & Technology
Length: 00:01:48
Tags: .

Ibm.wmv

EastFishkill, NY, полупроводниковый завод фирмы IBM, проектная норма 45 нм
Category: Science & Technology
Length: 00:04:18.750
Tags: .

Быстродействующий предохранитель. Защита ...

В процессе разработки и эксплуатации силовых устройств особое внимание уделяется системам защиты полупроводниковых приборов. Одним из методов применения защиты электронных устройств от перегрузок являются быстродействующие предохранители. Быстродействующие предохранители применяются в основном для защиты полупроводниковых электронных приборов. Малая тепловая инерция, быстрый прогрев полупроводникового перехода затрудняют защиту мощных диодов, транзисторов, тиристоров при токовых перегрузках. Обычные типы автоматов защиты и предохранителей из-за относительно большего времени срабатывания не обеспечивают должную защиту полупроводниковых приборов от короткого замыкания. Для этой цели специально разработаны быстродействующие предохранители. Рассмотрим некоторые примеры данных изделий. Плавкий быстродействующий предохранитель. Плавкая вставка в корпусном исполнении имеет фибровый или фарфоровый корпус. Крепится на токоподводящие части основания предохранителя, как правило, из латуни. Основными параметрами плавких предохранителей являются номинальный ток (от 400 до 1000А), номинальное напряжение (до 700В) и отключающая способность. Одним из серии специальных предохранителей является пробивной предохранитель. Принцип действия основан на возникновении пробоя межэлектродного промежутка со слюдяной прокладкой, которая служит для создания точного искрового промежутка. В отверстиях прокладки происходит пробой по воздушному промежутку. Пробивные предохранители защищают цепь от ...
Category: Science & Technology
Length: 00:01:47.250
Tags: .

Снятие вольт амперной характеристики диода по точкам

Вольт-амперной характеристикой называют зависимость силы протекающего через элемент тока от приложенного к нему напряжения. При снятии вольт-амперной характеристики необходимо учитывать способы подключения амперметра и вольтметра.
Category: Science & Technology
Length: 00:02:06
Tags: напряжение .

Электролюминесцентные излучатели

Электролюминесцентный излучатель - излучающий полупроводниковый прибор, в котором используется электролюминесценция электролюминофора. Излучатели имеют разнообразные электрические и светотехнические параметры, некоторые типы излучателей хорошо сочетаются со схемами, использующими полупроводниковые приборы. Различают порошковый и плёночный излучатели. Порошковые излучатели представляют собой многослойную структуру. Основу излучателя составляет ячейка, содержащая электролюминофор. На стеклянное основание с проводящим прозрачным слоем последовательно наносят люминесцентный слой (смесь люминофора и диэлектрика), защитный или отражающий слой и второй непрозрачный электрод. В качестве материала для второго электрода чаще всего используют серебро, алюминий, медь или графит. К электродам подводится переменное электрическое напряжение, которое возбуждает люминофор. Излучение выходит через прозрачный электрод и стеклянное основание. Светотехнические характеристики излучателей определяются прежде всего типом используемого люминофора. В качестве люминофора используется сульфид цинка, который, для получения большей яркости свечения, активируется примесями меди, марганца или других элементов. Поликристаллы сульфида цинка связываются между собой диэлектрическими материалами. По этой причине электролюминесцентные порошковые излучатели работает только при переменном напряжении на электродах. Пленочные излучатели отличаются от порошковых наличием между электродами однородной ...
Category: Science & Technology
Length: 00:01:45
Tags: .

Классификация лазеров

Появление лазеров сразу оказало и продолжает оказывать влияние на различные области науки и техники, где стало возможным применение лазеров для решения конкретных научных и технических задач. Однако до сих пор не существует единой классификации. Но имеется несколько различных подходов в классификации лазеров. Во-первых, принято различать два типа лазеров: усилители и генераторы. На выходе усилителя появляется лазерное излучение, когда на его вход поступает незначительный сигнал на частоте перехода. Именно этот сигнал стимулирует возбужденные частицы к отдаче энергии. Происходит лавинообразное усиление. Таким образом - на входе слабое излучение, на выходе - усиленное. В генераторах же на вход не подают излучение, а возбуждают и, более того, перевозбуждают активное вещество. Это приводит к возникновению стимулированного излучения. Следующий подход в классификации лазеров связан с физическим состоянием активного вещества. С этой точки зрения лазеры бывают твердотельными, газовыми, жидкостными, если в качестве активного вещества используется полупроводниковый переход, то лазер называют полупроводниковым. Другой подход - связан со способом возбуждения активного вещества. Различают следующие лазеры: с возбуждением за счет оптического излучения; с возбуждением потоком электронов; с возбуждением солнечной энергией; с возбуждением за счет энергий взрывающихся проволочек; с возбуждением химической энергией. Различают также лазеры по характеру излучаемой энергии и ее спектральному ...
Category: Science & Technology
Length: 00:01:54
Tags: .

Фотодиоды

Среди фоточувствительных приборов полупроводниковые фотодиоды занимают особое положение. Они обладают наилучшим сочетанием фотоэлектрических параметров, основных с точки зрения использования в оптоэлектронике: высокие значения чувствительности и быстродействия, малые значения паразитивных параметров.
Category: Science & Technology
Length: 00:01:33
Tags: полупроводниковый .

Принцип работы фотодиода. Азы электроники

Фотодиод -- это полупроводниковый диод, обратный ток которого зависит от освещенности. Как правило, в качестве фотодиода используются полупроводниковые диоды с PN-переходом. В фотодиодном режиме PN-переход смещен обратным напряжением, величина которого измеряется от единиц до сотни вольт, и, чем больше смещение, тем выше скорость носителей заряда, которая характеризуется увеличением протекающего через фотодиод тока. Величина, на которую возрастает обратный ток, называется фототоком. К основным характеристикам фотодиода можно отнести вольтамперную; световую, т.е. зависимость фототока от освещенности; спектральную характеристику фотодиода -- зависимость фототока от длины волны, падающего света на фотодиод. Одна из немаловажных характеристик -- постоянная времени, время, в течение которого фототок фотодиода изменяется после освещения или после затемнения фотодиода в несколько раз. Темновое сопротивление -- это сопротивление фотодиода в отсутствие освещения. Фотодиод является составным элементом во многих оптоэлектронных конструкциях, потому и находит широкое применение. Рассмотрим простую схему включения фотодиода. Изменяя положение потенциометра, можно протестировать и выбрать оптимальный режим работы фотодиода. Изменением от минимального до максимального значения резистора подбирается наилучший режим смещения на фотодиоде. Изменив положение на минимум, замкнув подвижной контакт на массу, мы переводим схему в фотогальванический режим. И еще одна простая схема с включением ...
Category: Science & Technology
Length: 00:01:49.500
Tags: принцип действия .

Теллур

Теллур - хрупкое серебристо-белое вещество с металлическим блеском. В тонких слоях на просвет красно-коричневый, в парах - золотисто-жёлтый.Применение: Теллур применяется в производстве сплавов свинца с повышенной пластичностью и прочностью (применяемых, например, при производстве кабелей). При введении 0,05 % теллура потери свинца на растворение под воздействием серной кислоты снижаются в 10 раз, и это используется при производстве свинцово-кислотных аккумуляторов. Также велика его роль в производстве полупроводниковых материалов и, в частности, теллуридов свинца, висмута, сурьмы, цезия. Очень важное значение в ближайшие годы приобретёт производство теллуридов лантаноидов, их сплавов и сплавов с селенидами металлов для производства термоэлектрогенераторов с весьма высоким (до 72-78 %) КПД, что позволит применить их в энергетике и в автомобильной промышленности.Многие знакомы с термоэлектрическими модулями Пельтье, которые используют в портативных холодильниках, термоэлектрических генераторах и иногда для экстремального охлаждения компьютеров. Основной материал полупроводников в таких модулях это теллурид висмута. В настоящее время это самый ходовой полупроводниковый материал, используемый в модулях Пельтье. Если посмотреть сбоку на термоэлектрический модуль, можно заметить ряды маленьких "кубиков", они сделаны из теллурида висмута.Совершенно исключительное значение также получили сплавы КРТ (кадмий-ртуть - теллур), которые обладают фантастическими характеристиками для ...
Category: Science & Technology
Length: 00:02:07.500
Tags: .

Gan - нитрид галлия

Нитрид галлия - бинарное неорганическое химическое соединение галлия с азотом. Широко используется в светодиодах с 1990 года. Соединение представляет собой очень жесткий материал, который имеет кристаллическую структуру вюрцита. Широкая запрещенная зона составляет 3,4 эВ, что говорит о его особых свойствах в применении оптико-электронных, мощных и высокочастотных устройств. Его чувствительность к ионизирующему излучению низка (так же как и для других нитридов III группы), что делает его подходящим материалом для массивов солнечных батарей на спутниках. Из-за того что транзисторы из нитрида галлия могут работать при высоких температурах и работать при гораздо более высоких напряжениях, чем транзисторы из арсенида галлия, они становятся идеальными усилителями мощности на СВЧ.Является важным прямозонным полупроводником с шириной запрещённой зоны 3.39 эВ при 300 K. Нитрид галлия очень тяжелый, механически стабильный материал с большой теплоемкостью.Широко используется для создания светодиодов, полупроводниковых лазеров, сверхвысокочастотных транзисторов.Кристаллический нитрид галлия высокого качества может быть получен при низкой температуре методом технологии осаждения слоя буфером. Высококачественный кристалл нитрида галлия привел к тому, что были открыты полупроводник p-типа данного соединения , p - n-переход голубых/УФ-светодиодов и эмиссия при комнатной температуре (необходимая для лазерного излучения). Это привело к коммерциализации высокопроизводительных синих ...
Category: Science & Technology
Length: 00:02:30
Tags: .

Карбид кремния

Карбид кремния - полупроводниковый материал. Его можно использовать для изготовления высокотемпературных силовых полупроводниковых приборов, полевых транзисторов, туннельных диодов, счетчиков частиц высокой энергии, терморезисторов.
Category: Science & Technology
Length: 00:01:21
Tags: .

Варисторы, принцип действия

Варисторы - это полупроводниковые резисторы, в которых используется эффект уменьшения сопротивления полупроводникового материала при увеличении приложенного напряжения.
Category: Science & Technology
Length: 00:02:34.500
Tags: принцип действия .

Полупроводниковые датчики газа на основе ...

Данный тип датчиков был разработан в 1962 году японским изобретателем Наойоши Тагучи. Принцип работы полупроводниковых датчиков основан на том, что при увеличении концентрации газа резистивное сопротивление - уменьшается. Большинство таких датчиков создано на основе оксида олова, резистивное сопротивление которого в чистом воздухе довольно большое. При наличии в воздухе газов взрывоопасных веществ, таких, как метан, пропан, водород, паров органического происхождения, например, алкоголь, эфирные масла, а также многих других газов и примесей оно резко снижается. А это искажает показания датчиков. Учитывая данный факт, в настоящее время начато производство датчиков на основе оксидов благородных металлов, которые реагируют на наличие в воздухе данных примесей минимально. Поскольку чувствительное к газу вещество в процессе работы не расходуется, они характеризуются продолжительным сроком работы - порядка 10 лет. К достоинствам полупроводниковых датчиков можно отнести их невысокую стоимость и простоту подключения. Полупроводниковые датчики находят свое применение в производстве и эксплуатации систем кондиционирования, воздухоочистителей, системах вентиляции помещений. Однако следует отметить, что для промышленного применения их, скорее, можно назвать недостаточно надежными, так как они имеют недостаточную точность при определении отдельных газов, на них влияют перепады атмосферной температуры и влажности.
Category: Science & Technology
Length: 00:01:13.500
Tags: .

Cеленид цинка - полупроводник и оптический материал

Селенит цинка - химическое соединение, относящаяся к солям. По электрическим свойствам является полупроводником. В природе весьма редко встречается в виде минерала - стилеита. Применяется в радиотехнике в двух направлениях. Как оптический материал Селенид цинка используется для изготовления стёкол с очень низким коэффициентом поглощения в среднем инфракрасном диапазоне, например, в углекислотных лазерах. Как материал для полупроводниковых приборов селенид цинка рассматривался в качестве материала синих светодиодов, но эксперименты показали, что по светоотдаче они значительно уступают нитрид-галиевым светодиодам. Но в других отраслях электроники селенид цинка показал себя как очень успешный материал для изготовления мощных силовых диодов Шоттки и детекторов рентгеновского излучения. Кроме того селенид цинка обладает свойствами вторичного свечения, что делает его перспективным материалом для изготовления люминофоров. При этом для рентгеновского излучения селенид цинка является люминофором с длинным периодом послесвечения. Все это делает селенид цинка одним из перспективных материалов в области создания приборов коротковолновой полупроводниковой электроники.
Category: Science & Technology
Length: 00:01:03
Tags: .

Принцип работы фототранзистора

Фототранзистор - это оптический электронный полупроводниковый прибор, один из вариантов биполярного транзистора.
Category: Science & Technology
Length: 00:01:42.750
Tags: принцип действия .

Маркировка полупров-ых приборов по системе jis c 7012

В Японии широко используется промышленный стандарт JIS ассоциации Electronic Industries of Japan. Она была разработана позднее американской системы JEDEC и европейской PRO Electron и является их комбинацией. Эта система позволяет определить класс полупроводникового прибора (диод или транзистор), его назначение, тип проводимости полупроводника.
Category: Science & Technology
Length: 00:02:21.750
Tags: .

Туннельный диод

Туннельный диод занимает особое место среди полупроводниковых диодов из-за свойственной ему внутренней положительной обратной связи по напряжению и хороших динамических свойств. Туннельный диод определяется главным образом туннельм эффектом, благодаря которому электроны проникают сквозь барьер из одной разрешенной области энергии в другую.Условное графическое обозначение туннельного диода представлено на рисунке.Его воль амперная характеристика имеет участок отрицательного дифференциального сопротивления. Это объясняется тем, что при очень малых толщинах запорного слоя наблюдается туннельный переход зарядов из валентной зоны в зону проводимости.Туннельный диод, благодаря своей воль амперной характеристики, нашел широкое применение в качестве ключевого тензодатчика, генераторов и высокочастотных переключателей, они работают на частотах, во много раз превышающих частоты работы тетродов, до 30-100 Гига герц.
Category: Science & Technology
Length: 00:00:51
Tags: .

Маркировка импортных диодов по системе pro electron

В Европе для маркировки полупроводниковых приборов, кроме системы JEDEC, широко распространена система ассоциации Pro-Electron. Эта система более информативна и позволяет по маркировке определить подкласс и назначение полупроводникового прибора.
Category: Science & Technology
Length: 00:02:25.500
Tags: .

International rectifier - новинки

Компания International Rectifier является общепризнанным мировым лидером в разработке технологий и производстве силовых полупроводниковых приборов. Продукция International Rectifier признается стандартом качества участниками рынка силовой электроники. Спецификации приборов IR производители во всем мире используют в качестве эталонных.В данном видеоанонсе Вы можете ознакомиться с новыми продуктами IR.
Category: Science & Technology
Length: 00:06:21.750
Tags: разработка производство .

Беспереходный транзистор

В 1925 году австро-венгерский физик Юлиус Эдгар Лилиенфилд получил патент на полупроводниковый усилитель, который в последующем был назван полевым транзистором. По принципу действия его прибор представлял собой резистор, покрытый тонкой полупроводниковой пленкой, при подаче напряжения на которую он менял свою проводимость и в связи с этим возникало усиление электрических колебаний. Но создать такой транзистор он не сумел, так как не нашлось необходимого материала, на основе которого можно было бы изготовить работающий транзистор. Физически изготовить подобный транзистор, в котором нет никаких переходов, удалось Жану - Пьеру Коленжу и его коллегам. Их транзистор представляет собой кремниевый нанопровод n-типа (проводящий канал), окруженный крайне тонким слоем оксида кремния, поверх которого лежит своего рода "скоба" из полупроводника p-типа, которая является затвором. Одно только лишь присутствие затвора резко сокращает количество свободных электронов в области канала под ним. Если между истоком и стоком имеется напряжение, то электроны всё равно не побегут по каналу, так как не позволит затвор. Такие транзисторы позволяют, как уменьшить размеры логических вентилей, так и улучшить их характеристики -- например, существенно уменьшить ток утечки, который благоприятно влияет на энергопотребление схемы. По утверждению изобретателей такое беспереходное устройство близко к идеальным электрическим свойствам и ведёт себя как самый совершенный транзистор.
Category: Science & Technology
Length: 00:01:19.500
Tags: усиление .

Селеновый выпрямитель

Селеновый выпрямитель или как его еще называют селеновый вентиль - это полупроводниковый диод на основе селена. Рассмотрим устройство селенового выпрямителя....
Category: Science & Technology
Length: 00:01:24.750
Tags: .

Диоды Шоттки на основе карбида кремния

Диод Шоттки - полупроводниковый диод с малым падением напряжения при прямом включении. Назван в честь немецкого физика Вальтера Шоттки. Диоды Шоттки используют переход металл-полупроводник в качестве барьера Шоттки (вместо pn перехода, как у обычных диодов). Наиболее важными характеристиками диодов Шоттки, определяющими их использование, являются низкое прямое падение напряжения, высокое быстродействие, фактическое отсутствие заряда обратного восстановления. Допустимое обратное напряжение промышленно выпускаемых диодов Шоттки ограничено 250 В, на практике большинство диодов Шоттки применяется в низковольтных цепях при обратном напряжении порядка единиц и нескольких десятков вольт. Однако, используя карбид-кремниевые подложки (Silicon Carbide - SiC) в качестве основы, можно повысить рабочее напряжение до 1200 В. Впервые кристаллический карбид кремния был получен в 1892 году и тогда был назван карборундом. Отец транзистора Уильям Шокли назвал карбид кремния "идеальным полупроводником" и уже в 1950 году был уверен, что этот материал быстро заменит кремний за счет превосходных свойств. Карбид кремния является полупроводником с непрямой зонной структурой с шириной запрещенной зоны от 2,4 до 3,3 эВ, что означает большой диапазон рабочих температур (теоретически - до 1000°С, практически - до 600°С) и малый ток утечки (менее 70мкА при 200°С). Материал устойчив к окислению при температуре до 1400°С. При комнатной температуре он не взаимодействует ни с какими кислотами. Этим ...
Category: Science & Technology
Length: 00:02:48.750
Tags: напряжение .

Удаление полипа лазером.

резекция полипа тела матки полупроводниковым лазером
Category: Science & Technology
Length: 00:01:05.250
Tags: .

Молибденит

Исследования полупроводникового материала молибденита, проведенные в Технологическом Институте в Лозанне, привели к созданию интегральных микросхем, которые значительно меньше и энергоэффективнее классических кремниевых чипов. При создании опытного образца соединили 6 последовательных транзисторов, показавших действие базовой бинарной логики и логических операций с молибденитовыми чипами. Исследователи планируют начать производство более крупных и сложных чипов. Заявлено о возможности использования дисульфид молибдена (МоS2) - минерала, часто встречающегося в природе, производство которого не требует больших затрат. Минерал, найден в крупных месторождениях в штатах Колорадо, Юта и Нью-Мексико, молибденит (MoS2) является слоем молибдена зажатого между двумя "листами" серы. В настоящее время молибденит используется в стальных сплавах и смазочных материалах, однако в будущем исследователи отводят ему место в миниатюрных транзисторах, светодиодах и солнечных элементах. Структура и полупроводниковые свойства материала идеальны для создания транзисторов. Основным преимуществом MoS2 стала возможность уменьшить размер транзисторов, сделать их миниатюрными. Молибденитовые транзисторы могут быть не только меньше кремниевых, но способны быстрее переключаться, позволяя оперативнее проводить вычислительные операции. "В "листе" MoS2 толщиной 0,65 миллимикрон электроны могут перемещаться также легко как и в "листе" кремния толщиной в 2 миллимикрона. Однако в настоящее время невозможно ...
Category: Science & Technology
Length: 00:01:21.750
Tags: .

Баллистический транзистор

Действие традиционных транзисторов в микросхемах основано на чередовании накопления и "сбрасывания" электронов; первое из этих состояний соответствует двоичной единице, второе — нулю. На переход в каждое из них требуется определенное время, которое обусловливает задержку переключения. Американскими учеными был изобретен транзистор принципиально нового типа, позволивший увеличить быстродействие электронных микросхем на несколько порядков. Принцип действия баллистического транзистора (как он еще называется баллистический транзистор с отклоняющим полем), основан на отклонении электрическим полем отдельных электронов. Такой транзистор представляет собой подобие "перекрестка", посередине которого находится треугольный отражатель. Его основой является специальный полупроводниковый материал, в котором атомы примесей не влияют на движение электронов. При этом отдельные электроны, проходя через поляризованный затвор, отклоняются электрическим полем и, затем отражаются от одной из граней клиновидного препятствия. В результате электроны отражаются влево или вправо в зависимости от величины приложенного напряжения, что соответствует логическим нолю и единице. Кроме того, преимущество баллистического транзистора по сравнению с обычным транзистором состоит в том, что нет необходимости управлять электронами при помощи "грубой силы" -- достаточно слегка подтолкнуть их в нужную сторону, а дальше они будут перемещаться за счёт инерции в требуемом направлении. Такие транзисторы выделяют ...
Category: Science & Technology
Length: 00:01:33.750
Tags: принцип действия .

Квантовый каскадный лазер

Квантовый каскадный лазер представляет собой полупроводниковый лазер, излучающий в ближнем и дальнем инфракрасном диапазоне. В отличие от обычных полупроводниковых лазеров, которые излучают электромагнитные волны посредством рекомбинации электрон-дырочных пар, преодолевающих запрещенную зону полупроводника, излучение квантового каскадного лазера возникает при переходе электронов между слоями гетероструктуры полупроводника и состоит из двух типов лучей, причём вторичный луч обладает весьма необычными свойствами и не требует больших затрат энергии.Данный тип лазеров может быть использован для наблюдения за уровнем загрязнения атмосферы, в охранных системах, а также в медицине, из-за своих размеров порядка 3мм, они могут быть непосредственно введены в организм человека для качественного и количественного определения содержания в тканях человека сложных химических соединений.
Category: Science & Technology
Length: 00:00:48.750
Tags: электротехника .

Siet-2011_1.avi

Доклад на конференции СИЭТ-2011 на тему "Контроль состояния полупроводникового прибора в процессе измерения его ВАХ"
Category: Science & Technology
Length: 00:03:55.500
Tags: .

Селен

Селен - химический элемент с атомным номером 34 в периодической системе, хрупкий блестящий на изломе неметалл чёрного цвета (устойчивая аллотропная форма, неустойчивая форма - киноварно-красная).Название селен происходит от греческого слова - Луна. Элемент назван так в связи с тем, что в природе он является спутником химически сходного с ним теллура (названного в честь Земли).Содержание селена в земной коре около 500 мг/т. Основные черты геохимии селена в земной коре определяются близостью его ионного радиуса к ионному радиусу серы. Селен образует 37 минералов.Значительные количества селена получают из шлама медно-электролитных производств, в котором селен присутствует в виде селенида серебра. Твёрдый селен имеет несколько аллотропных модификаций. Наиболее устойчивой модификацией является серый селен.Применение Селена: Одним из важнейших направлений его технологии, добычи, и потребления являются полупроводниковые свойства как самого селена, так и его многочисленных соединений (селенидов), их сплавов с другими элементами, в которых селен стал играть ключевую роль. Эта роль селена постоянно растёт, растёт спрос и цены (отсюда дефицит этого элемента).Цены на селен растут из года в год и в настоящее время , например - Стабильный изотоп Селен-74 цена на 1 мая 2010 г. около 600$ за 1 грамм.В современной технологии полупроводников применяются селениды многих элементов, например селениды олова, свинца, висмута, сурьмы, селениды лантаноидов. Особенно важны свойства ...
Category: Science & Technology
Length: 00:01:58.500
Tags: .

МОП-транзисторы international rectifier с ...

Компания International Rectifier (IR), основанная в 1947 году, является изобретателем технологии производства первых промышленных силовых МОП транзисторов и общепризнанным мировым лидером в разработке технологий и производстве силовых полупроводниковых приборов. В течение последних 50 лет компания запатентовала более 90 технологических и конструкторских решений.International Rectifier впервые представляет семейство МОП-транзисторов с автомобильной квалификацией для целого ряда применений, требующих низкого сопротивления открытого канала Такими приложениями могут являться: электрический усилитель руля, комплексные системы стартер-генератор, управление двигателем насоса, DC-DC преобразователи, батарейные коммутаторы, устройства запуска двигателей внутреннего сгорания, модели гибридных автомобилей и др. Максимальное сопротивление открытого канала в новых устройствах составляет 1,0 мОм. Транзисторы доступны в диапазоне напряжений от 24 В до 100 В, ток до 240 А в корпусе для поверхностного монтажа D2PAK.
Category: Science & Technology
Length: 00:01:11.250
Tags: автомобиль транспорт .

Принцип работы диода

Диод это полупроводниковый прибор, с односторонней проводимостью электрического тока: он хорошо пропускает через себя ток в одном направлении и очень плохо — в другом. Это основное свойство диода используется, в частности, для преобразования переменного тока в постоянный ток.
Category: Science & Technology
Length: 00:02:11.250
Tags: .

Диоды Шоттки

Диод Шоттки это полупроводниковый диод, выполненный на основе контакта металл — полупроводник. Диоды на основе барьера Шоттки являются быстродействующими приборами. Они служат главным образом СВЧ-диодами различного назначения. Используются в импульсных блоках питания аналоговой и цифровой аппаратуры, устройствах заряда батарей, конверторах и т.д.
Category: Science & Technology
Length: 00:03:08.250
Tags: .

Устройство светодиода

Светодиод - полупроводниковый прибор, излучающий некогерентный свет при пропускании через него электрического тока. Рассмотрим подробнее его устройство.
Category: Science & Technology
Length: 00:01:48
Tags: источник света принцип действия .

Симисторы

Симиcтop - полупроводниковый прибор, который широко используется в системах, питающихся переменным напряжением. Упрощенно он может рассматриваться как управляемый выключатель.
Category: Science & Technology
Length: 00:02:18
Tags: .

Простая схема сумеречного детектора. Сделай сам

Это простое электронное устройство представляет собой автомат включения и выключения нагрузки в зависимости от освещенности светочувствительного элемента, в данном случае им является фототранзистор. Простота изготовления, ограниченное количество электронных компонентов и надежность в применении делает сумеречный переключатель эффективным в цепях управления вашего электрооборудования. Ядром схемы является фототранзистор. Фототранзистор -- это полупроводниковый прибор с двумя переходами. Он предназначен для преобразования светового потока в электрический ток, т.е. при освещении фототранзистора в его базе генерируются электронно-дырочные пары. К тому же, фототранзистор является еще и усилителем. Фототранзисторы обладают очень высокой чувствительностью, по сравнению, например, с фотодиодами. И все же, как работает это устройство? Световой поток, приходящий на фоточувствительный элемент, генерируется в базе фототранзистора. Ток коллектора оказывается достаточно большим, чтобы открыть ключевой транзистор подачей на его базу напряжения. Это значит, что положительный потенциал, установленный по отношению к массе, откроет транзистор VT1, включив питание электромагнитного реле, которое своими контактами включит или выключит управляемую цепь. Переменный резистор необходим для установки порога чувствительности устройства. Питание от стабилизированного источника или от батареи 9В.
Category: Science & Technology
Length: 00:01:23.250
Tags: схемотехника детектор освещение .

Принцип работы тиристора

Тиристор это полупроводниковый прибор, предназначенный в основном для регулировки и коммутации больших токов, например в схемах регулирования освещения, терморегуляторах, сварочных аппаратах, мощных электродвигателях.
Category: Science & Technology
Length: 00:01:41.250
Tags: .

Биполярные транзисторы

Биполярный транзистор — трёхэлектродный полупроводниковый прибор. Электроды, подключенные к трём последовательно расположенным слоям полупроводника с чередующимся типом примесной проводимости, называются эмиттер, база, коллектор. Биполярные транзисторы делятся на две большие группы: NPN и PNP транзисторы.
Category: Science & Technology
Length: 00:02:58.500
Tags: .

Трехквадрантные триаки

Симистор (или "триак" - от английского triac) - полупроводниковый прибор, предназначенный для коммутации нагрузки в сети переменного тока. Он представляет собой "двун...
Category: Science & Technology
Length: 00:02:53.250
Tags: напряжение .

Сетевой фильтр или удлинитель

Перепады напряжения и высокочастотные помехи, "визитная карточка" российских электросетей. Большинство людей используют для подключения всевозможной аппаратуры сетевые фильтры или обычные бытовые удлинители. Рассмотрим, чем же отличается сетевой фильтр от простых бытовых удлинителей. Сетевой фильтр призван защитить подключаемые через него приборы от импульсных и высокочастотных помех. Большинство нормальных сетевых фильтров состоят всего из двух простых элементов - варистора и LC-фильтра. Варистор - это полупроводниковый резистор. Варистор включается параллельно защищаемому оборудованию, то есть на него поступает то же напряжение, что и на защищаемое устройство. Если в сети питания возникает импульс высокого напряжения, то сопротивление варистора резко падает и он, будучи включен параллельно, преобразует электрическую энергию импульса в тепловую, тем самым защищая включенные в сетевой фильтр приборы LC-фильтр - элемент, предназначенный для подавления высокочастотных помех, которые искажают синусоиду переменного напряжения в сети и отрицательно сказываются на работе электрооборудования, особенно сложного. LC-контуры состоят из конденсаторов и катушек индуктивности (где L - катушка индуктивности, намотанная на ферритовый сердечник, а С - конденсатор). Эффективность работы LС-фильтра в различных диапазонах частот измеряется в децибелах. Источниками высокочастотных помех могут быть как всевозможные электрические устройства, которые наши соседи регулярно умудряются подключать ...
Category: Science & Technology
Length: 00:01:55.500
Tags: .

10. Урок Радиоэлектроники - Диоды.

10. Урок Радиоэлектроники - Диоды. Что такое диод, характеристики диодов, полупроводниковый диод, маркировка диодов, схема диода, параметры диодов, напряжение диода, работа диода, обозначение диодов. Видеокурс - Изучение радиоэлектроники с полного нуля. После изучения видео уроков, Вы научитесь ремонтировать бытовые электроприборы, научитесь собирать различные электронные устройства и ремонтировать электропроводку. В данный видеокурс вошло 30 разделов по разным радиокомпонентам, сборке электронных устройств и опытам.
Category: Education
Length: 00:17:40.500
Tags: электроника схемотехника .

Полевые транзисторы с управляющим переходом

Полевой транзистор —полупроводниковый прибор, в котором ток изменяется в результате действия перпендикулярного току электрического поля, создаваемого входным сигналом.
Category: Science & Technology
Length: 00:02:34.500
Tags: .

<< | 1 | >>

Tags

Ads